FDP060AN08A0
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDP060AN08A0 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 255W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 80A (Tc) |
FDP060AN08A0 Einzelheiten PDF [English] | FDP060AN08A0 PDF - EN.pdf |
FDP058N10 FSC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDP068AN08A0 FAIRCHILD
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MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDP060AN08A0Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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